廣東愛(ài)晟電子科技有限公司生產(chǎn)的IGBT熱敏芯片，在IGBT模塊中起到溫度控制和溫度監(jiān)測(cè)的作用，能有效地幫助IGBT模塊在電動(dòng)汽車(chē)中安全、穩(wěn)定地運(yùn)作。

由于中國(guó)市場(chǎng)的IGBT模塊和芯片和長(zhǎng)期依賴國(guó)外進(jìn)口，因此自2005年開(kāi)始，大量海外IGBT人才紛紛回國(guó)投入國(guó)產(chǎn)IGBT模塊和芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，目前已經(jīng)形成一定規(guī)模的IGBT產(chǎn)業(yè)鏈體系。IGBT產(chǎn)業(yè)如今主要有三種商業(yè)模式：

一、Fabless（無(wú)晶圓廠）模式，是指只負(fù)責(zé)芯片的電路設(shè)計(jì)與銷(xiāo)售，將具體生產(chǎn)環(huán)節(jié)外包的公司。

二、封裝模式，指購(gòu)買(mǎi)芯片自主封裝的商業(yè)模式。

三、IDM（Integrated Device Manufacture，集成器件制造）模式，是指集芯片設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)多個(gè)環(huán)節(jié)于一身的公司。

由于電動(dòng)汽車(chē)的持續(xù)發(fā)展，作為關(guān)鍵器件的IGBT一直處于供不應(yīng)求的狀態(tài)。面對(duì)市場(chǎng)的強(qiáng)勁需求，各IGBT廠商加大了投融資和生產(chǎn)布局。在技術(shù)方面，在電池容量成為電動(dòng)汽車(chē)瓶頸問(wèn)題的背景下，提高充電功率和效率，節(jié)省行車(chē)過(guò)程中的能耗等問(wèn)題是提升電動(dòng)汽車(chē)?yán)m(xù)航能力的有效途徑。因此，常規(guī)車(chē)用硅基功率器件均具備被第三代半導(dǎo)體功率器件替代的可能性。

SiC是第三代半導(dǎo)體材料的代表。由于SiC具有高耐壓、低損耗、高效率等特性，可以讓功率器件突破硅的限制，帶來(lái)更好的導(dǎo)電性和電力性能。這些特性的提高，正與汽車(chē)電子、工業(yè)自動(dòng)化以及新能源等領(lǐng)域的需求相契合。于是，各大廠商紛紛在SiC上布局。全球SiC產(chǎn)業(yè)格局呈現(xiàn)美國(guó)、歐洲、日本三足鼎立的態(tài)勢(shì)，其中美國(guó)全球獨(dú)大。全球SiC產(chǎn)量的70%~80%來(lái)自美國(guó)公司；歐洲擁有完整的SiC襯底、外延、器件以及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)鏈。

雖然SiC是長(zhǎng)期趨勢(shì)，但是SiC MOSFET短期內(nèi)難以取代IGBT模塊。SiC在磊晶制作上有材料應(yīng)力的不一致性，造成晶圓尺寸在放大時(shí)磊晶層接合面應(yīng)力會(huì)超出拉伸極限，導(dǎo)致晶格損壞，降低了產(chǎn)品良品率。因此，目前SiC芯片成品率低，晶圓尺寸主流仍維持4寸或6寸，無(wú)法取得大尺寸晶圓成本優(yōu)勢(shì)，生產(chǎn)成本過(guò)高。同等級(jí)別的SiC MOSFET，其成本是Si IGBT的8~12倍，而車(chē)用領(lǐng)域SiC解決方案的整體成本相比傳統(tǒng)Si IGBT則高出約300美元。當(dāng)前制約SiC器件發(fā)展的主要因素在于其高昂的價(jià)格，而成本的主要決定因素是襯底和晶圓尺寸。未來(lái)隨著技術(shù)的發(fā)展，襯底的成本將會(huì)慢慢下降，晶圓的尺寸也會(huì)越做越大，價(jià)格也會(huì)慢慢下降。

參考數(shù)據(jù)：

微信公眾號(hào) 佐思汽車(chē)研究《汽車(chē)IGBT研究：電動(dòng)車(chē)IGBT市場(chǎng)份額和發(fā)展趨勢(shì)綜述》